根据科创板日报报道，应用材料正式对外发布面向AI芯片量产的三维芯片制造整套设备产品线，产品重点覆盖高带宽存储器、芯粒异构集成、混合键合等3D先进封装环节，补齐平坦化、薄膜沉积、精密计量检测全链条设备能力。整套设备主要服务于AI算力芯片与堆叠存储的封装制造，瞄准当前Chiplet架构、HBM内存堆叠工艺中的关键制造工序。本次对外公开的工艺设备包含多款封装专用机型，其中涵盖先进化学机械抛光设备、电化学

7月1日，业界领先的半导体器件供应商兆易创新GigaDevice携70余款产品及解决方案亮相2026慕尼黑上海电子展。本次展品阵容涵盖存储器、微控制器、模拟芯片、传感器等全系产品线，并聚焦AI技术与终端应用的深度融合，覆盖具身智能、数据中心/服务器、工业与数字能源、汽车/两轮车以及消费电子等重点领域，全方位展现了兆易创新在多元应用的技术积淀与广泛布局。依托持续的技术突破、精准的市场洞察、丰富的产品

蓝鲸新闻7月1日援引知情人士消息，芯联集成已向合作客户正式下发价格调整通知函，确定自2026年第三季度起上调旗下全部代工产品价格，调价区间为15%至25%。知情人士对外表示，本次价格变动并非企业单方面转嫁生产成本，是综合上游产业链成本波动、下游真实市场需求，兼顾上下游长期稳定经营作出的协同调整方案。据通知函载明内容，2026年以来半导体行业全链条出现持续性成本抬升现象，晶圆代工原材料、金属耗材、封

当地时间6月30日，英特尔在美国加利福尼亚州圣克拉拉市Bowers Campus园区举办全新掩模配套设施动工仪式，多名企业核心高管到场参与本次开工活动。出席仪式的人员包含英特尔首席执行官陈立武、英特尔代工事业部总经理Naga Chandrasekaran、英特尔掩模业务总经理Frank Abboud等管理层人员，项目启动也标志着英特尔掩模产能扩建计划正式落地。本次新建设施聚焦半导体光刻掩模研发与量

据中国台湾经济日报7月1日消息，市场传出全球被动元件龙头国巨已向全部合作客户下发价格调整通知，调价政策自7月1日正式生效，本次上调范围覆盖旗下全系列电容产品，也是企业近年调涨品类跨度最大的一轮涨价。本次调价产品完整包含六类电容品类，分别为积层陶瓷电容（MLCC）、铝电解电容、钽质电容、高分子铝电容、薄膜电容及超级电容，相关电容业务板块营收占国巨整体营收比重约50%。与过往仅针对代理商渠道调价不同，

据AMD官方6月30日发布产品公告、DOIT、科创板日报同步报道，AMD正式推出Versal Premium Gen2 MoP自适应系统级芯片，该产品是AMD Versal系列首款采用MoP封装内存架构的自适应SoC，通过芯片与内存一体化封装方案，优化高算力嵌入式系统的体积、带宽与算力表现。MoP全称Memory on Package，即封装集成内存架构。该款芯片在单一封装内部集成最多四颗LPDD

7月3日，铠侠与闪迪联合联盟正式对外宣布，双方协同研发的第十代BiCS FLASH 3D闪存现已开启工程样品交付工作，本次首款送样产品为1Tb TLC闪存芯片，采用332层存储单元堆叠架构，由铠侠位于日本岩手县北上的Fab2晶圆厂专属生产。官方披露信息显示，BiCS10完整沿用自第八代BiCS FLASH导入的两项核心底层技术，分别为CMOS直接键合到阵列（CBA）、节距选通（OPS），两大架构保

财联社7月1日援引三星内部经营会议消息，6月30日三星电子首席技术官兼半导体研究所所长在DS器件解决方案部门内部经营说明会上，对外披露两项存储核心技术研发最新进度，分别覆盖下一代AI高带宽内存HBM4E与第七代10纳米级DRAM工艺D1d。针对HBM4E产品研发进展，该高管现场透露，当前产品可靠性测试良率已经提升至70%以上。行业通用评判标准中，良率达到80%及以上才会被视作工艺定型、具备稳定量产

当前，成渝地区双城经济圈已崛起为全国乃至全球极具竞争力的电子信息产业增长极。区域内产业规模高达2.36万亿元，成功跻身国家级战略性产业集群，并构建起覆盖芯片、面板、终端及配套的全链条产业闭环，正加速从传统制造基地向全球前沿创新高地实现历史性跨越。与此同时，成渝汽车制造根基雄厚，集聚规上企业超2000家；腾讯、华为、阿里巴巴等头部企业纷纷落子布局。目前，区域已实现智能终端、显示面板、集成电路三大核心

据日经亚洲7月1日报道，日本零部件厂商京瓷公布中长期资本开支规划，计划至2031年3月财年结束的六年周期内，向旗下零部件业务累计投入6500亿日元，折合人民币约271.25亿元，资金资源将集中倾斜至半导体制造设备配套零部件、人工智能数据中心相关元器件两大高增长领域，整体投资规模较上一个六年周期提升20%。本次大额投资将拆解为三大落地方向，第一部分用于扩充半导体设备精细陶瓷零部件产能。京瓷该类产品全